纪雪彤这几天回到了led实验团队。她的tofel考试已经考完了，成绩还没有出，但是她自己觉得够用了。而且想继续提高，难度很大。
  目前最重要的还是再补充一下论文数量，这个看起来，难度还小一点。
  纪雪彤原来是电子系的学生，在骆师姐的帮助下加入了童子军。她的运气不错，加入后不久就把名字署在了两篇论文上。
  随后，她更是凭借这两篇署名第三作者的论文，成功转换专业，与成永兴变成了同班同学。
  但是同班同学并没有增加她与这位钻石王老五的接触机会，除了少数的几次班级活动以外，那位很少在学生们中间出现了。
  纪雪彤是个豪爽的女孩子，换句话说，大大咧咧的，做事情不是很有耐心和细心。
  这使得她在实验的成果方面比较吃亏。到现在为止，她一直是在蹭第二作者和第三作者，第一作者一个都没有捞到。这在童子军里是罕见的。
  小组里，现在连大三的学生，也开始发表论文并署名第一作者了。
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  纪雪彤回到led实验室后，发现实验室里忙活的人，大多是学弟和学妹了。
  新的实验室已经移到led公司生产线的一侧，房间多了很多。每个房间做自己独立的课题，保密性大大加强了。
  纪雪彤转了一圈，才在一个小会议室找到正在讨论的叶静和冯言。
  成永兴早就不怎么管led的研发了，所以叶静就承担了主要的任务分配工作，尤其是led实验室这边。
  这段时间，她也是两头跑，刚从春城回到公司不久，就遇到了两个熟人。
  第一个就是刚刚从国外赶回来的冯言。
  成永兴已经先打过招呼。冯言将来会接管led公司的科研部门。
  与冯言相比，叶静在这边只是临时帮忙，过段时间，她就会彻底回到春城去了。这次见面，也算是做个交接。
  叶静对这些前检测专业的同学们异常客气，按照成永兴的脾气，如果不是这群人都跑光了，也不会轮到自己这样的第二梯队。
  所以她们两个一直在一起商量科研小组接下来的任务。
  多彩科技需要面对led零售市场，一些以前不太注意的事项，也被关注起来。
  例如，成本。
  成本有两方面，一个是原材料成本，一个是成品率。这些在垄断时期，不是特别被在意的参数和指标，都被重视了起来。
  另外，随着led光源市场的逐步打开，白光led在公司产品的占比，也会越来越大。相应的，公司的科研重心也会逐步转变。
  随着叶静这批人的毕业，童子军也会逐步分化。
  一部分的童子军成员，就会面临毕业。这些成员，部分人员会转变成多彩公司的全职研究人员。
  剩余的在校童子军成员，则进行分流。一部分虽然仍然上学，但也被当做全职人员看待，开始领工资。
  另一部分，则蜕化为业余课题小组，慢慢就会被边缘化了。
  依赖在校学生进行研发的阶段，已经过去。童子军，作为一个组织，就此不复存在。
  纪雪彤的要求，跟两位女强人一说，也就解决了。
  她的目的是第一作者的论文，而并不真正是做实验做项目。《多彩科技》手里的资源很多。大量没有发表的论文，随便找一个接近解密的，让她署一下名字就好。
  光电系已经在led及lcd行业，树立了绝对权威。只要是光电投出去的论文，在各种国际期刊上，都是通行无阻。
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  冯言这次是被迫回来的。
  她在学校里舒舒服服过了小半年，悠哉悠哉，爽得很。这段时间里，她的社交圈扩大了很多，到哪里都是焦点人物，很受欢迎。
  她的价值在这段时间不但没有降低，而且还高开高走，与很多公司都建立了联系。如果她想做项目，大把的资金和项目就会蜂拥而来。这跟郝云丽到处求项目和资金，截然相反。
  由于日子过得很舒服，她都想就这么混下去了。但是随着郝云丽的一篇大论文，她的好日子突然结束了。
  郝云丽在science上发表一篇震动世界的论文，至少是震动了爱德华实验室。
  郝云丽以前有过一次发表在cns顶级期刊的机会，但是王教授为了抢时间，放弃了。
  这次她终于如愿以偿。
  而且这篇论文不是普通的顶级论文，据爱德华教授评价，这是一篇有诺贝尔奖潜力的论文！
  这使得很多前段时间，反复与郝云丽讨价还价的实验室和机构后悔不已。
  爱德华实验室也是有机会留下郝云丽的，爱德华教授现在虽然什么也不说，但是看冯言的眼光都变了。不仅仅是他，所有人都把希望寄托在了冯言身上。
  同样的出身，类似的科研履历，冯言甚至还有产业界的支持。大家开始对她的几个月毫无作为不满了。
  郝云丽在匹兹堡大学和爱德华实验室里已经成了传说。她过去的一些战绩，例如她发表的总论文数，也被大家津津乐道。
  相应的，对冯言的期望值，也提高了不只是一个档次。
  冯言抵不住这种压力，干脆就返回了冰城。
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  与叶静讨论之后，她就去找成永兴。但是两个人一见面，她就被安排了新的任务。
  igbt。insulatedgatebipolartransistor，绝缘栅双极型晶体管，应用范围非常广泛，它包括了变频，变压，开关电源等。在后世，它的应用场景包括了轨道交通，电动汽车等。
  在1992年，igbt也不是什么新概念。
  1979年的时候，mos栅功率开关器件作为igbt概念的先驱就已经出现了。
  这个技术一面世，就吸引了世界各半导体厂家的注意。多家公司几乎同时并独立地发明了这种器件，刚开始各公司对其称谓也不同。
  随着时间的流逝，igbt的技术也日渐成熟，一些新的制造工艺（dmos）被采用，各种不同的结构，被各厂家进行试探，并有所成就。
  时间走入90年代的时候，随着大规模集成电路工艺的逐步成熟，有一些半导体生产中采用的工艺，很快就会被igbt研究人员引入。
  硅芯片的垂直结构（3d），给igbt的设计，带来了巨大的改变。
  在90年代中期，igbt的结构，先后出现了多次技术突破。
  其中比较有名的有，npt-igbt（穿透式），lpt-igbt（弱穿透），这一波里，最重要的技术是cstbt。至此第五代igbgt才算正式成熟。
  这个技术方向，成永兴盯了很久了，因为它的经济价值非常大，甚至不弱于led，但一直苦于没有人手。
  随着时间的流逝，这些技术面世的窗口，也在慢慢关闭。
  所以，冯言一回来，就被他立刻抓了差。